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SemiSouth 碳化矽 SiC JFET 和二極體


Power Integrations 現在推出 SemiSouth Laboratories 的一系列專業碳化矽電晶體和二極體。SemiSouth 產品可簡化切換流程並大幅提升效率。

碳化矽 SiC 二極體

零件編號 說明 電壓 電流 IF 封裝
SDA05S120 蕭特基二極體 1200 V 5A TO-220
SDB05S120 蕭特基二極體 1200 V 5A TO-252 DPAK
SDA10S120 蕭特基二極體 1200 V 10A TO-220
SDP10S120D 蕭特基二極體 1200 V 10A (2 x 5A) TO-247
SDP20S120D 蕭特基二極體 1200 V 20A (2 x 10A) TO-247
SDP30S120 蕭特基二極體 1200 V 30A TO-247
SDP60S120D 蕭特基二極體 1200 V 60A (2 x 30A) TO-247

 

碳化矽 SiC JFET

零件編號 說明 電壓 RDSON 封裝
SJDA065R055 碳化矽 SiC JFET 通常為開啟 650 V 55 mΩ TO-220
SJDP120R085 碳化矽 SiC JFET 通常為開啟 1200 V 85 mΩ TO-247
SJEP120R100
 碳化矽 SiC JFET 通常為關閉 1200 V 100 mΩ TO-247
SJEP120R063 碳化矽 SiC JFET 通常為關閉 1200 V 63 mΩ TO-247
SJEP170R550 碳化矽 SiC JFET 通常為關閉 1700 V 550 mΩ TO-247

 

參考配套設計

參考配套設計是評估套件，提供 SemiSouth 元件、功能完整的電路板及工程報告。

零件編號 說明
SGDR600P1 JFET 通常為關閉的 6A 驅動器電路板
SGDR2500P2 JFET 通常為關閉的驅動器電路板

 

應用說明

AN-SS3：針對高速硬切換最佳化的 6A JFET 閘極驅動
AN-SS5：SGDR2500P2 雙級驅動器電路板的操作及用途

 

論文和文章