세미사우스 SiC JFET 및 다이오드
파워 인테그레이션스가 세미사우스 래버러토리스(SemiSouth Laboratories)의 특수 실리콘 카바이드 트랜지스터 및 다이오드 제품라인의 총판을 맡게 되었습니다. 세미사우스의 제품들을 통해 스위칭을 단순화하고 효율을 대폭 향상시킬 수 있습니다.
실리콘 카바이드 반도체 활용 애플리케이션
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SiC 다이오드
| 제품 번호 | 제품 설명 | 전압 | 전류 IF | 패키지 |
|---|---|---|---|---|
| SDA05S120 | Schottky Diode | 1200 V | 5A | TO-220 |
| SDB05S120 | Schottky Diode | 1200 V | 5A | TO-252 DPAK |
| SDA10S120 | Schottky Diode | 1200 V | 10A | TO-220 |
| SDP10S120D | Schottky Diode | 1200 V | 10A (2 x 5A) | TO-247 |
| SDP20S120D | Schottky Diode | 1200 V | 20A (2 x 10A) | TO-247 |
| SDP30S120 | Schottky Diode | 1200 V | 30A | TO-247 |
| SDP60S120D | Schottky Diode | 1200 V | 60A (2 x 30A) | TO-247 |
SiC JFETs
| 제품 번호 | 제품 설명 | 전압 | RDSON | 패키지 |
|---|---|---|---|---|
| SJDP120R085 | SiC JFET Normally On | 1200 V | 85 mOhm | TO-247 |
| SJEP120R100 |
SiC JFET Normally Off | 1200 V | 100 mOhm | TO-247 |
| SJEP120R063 | SiC JFET Normally Off | 1200 V | 63 mOhm | TO-247 |
| SJEP170R550 | SiC JFET Normally Off | 1700 V | 550 mOhm | TO-247 |
레퍼런스 설계 키트
레퍼런스 설계 키트는 세미사우스 부품, 전기능 회로 보드 및 엔지니어링 리포트를 포함한 평가 키트입니다.
| 제품 번호 | 제품 설명 |
|---|---|
| SGDR600P1 | Normally Off JFET용 6A 드라이버 보드 |
| SGDR2500P2 | Normally Off JFET용 드라이버 보드 |
애플리케이션 노트
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AN-SS3: 고속 하드 스위칭에 최적화 된 6A JFET 게이트 드라이버 |
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AN-SS5: SGDR2500P2 듀얼스테이지 드라이버 보드의 원사용법 및 동작 |
논문 및 기사
- 고전압 보조 플라이백 SMPS용 1700 V Enhancement-mode SiC VJFET
- 전기장에 따른 이동도 관련 SiC JFET 계산용 물리기반 모델 사우스캐롤라이나대학, 2009
- PV 인버터 효율 99% 초과(프라운호퍼).pdf
- • SiC Enhancement-Mode 접합형 전계 효과 트랜지스터 및 권장 사용법
- 고유 안전 벅 컨버터 설계.pdf
- 논문: SiC JFET용 최적화 게이트 드라이브.pdf
- 프레젠테이션: 태양광 인버터에서의 SiC 트랜지스터 애플리케이션(프라운호퍼).pdf
- 프레젠테이션: Enhancement-mode SiC JFET을 이용한 역률 보정.pdf
