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Qspeed X-Series Diodes

概要

Qspeed™ ダイオードは、シリコン ダイオードの中で最も低い QRR 値を持っています。このリカバリー特性により、効率を向上させるとともに、EMI を軽減し、スナバを不要にしています。

製品ハイライト

主な内容

  • 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
  • 高 dIF/dt 対応 (1000A/µs)
  • スムーズな リカバリー特性

利点

  • 効率の向上
    • スナバ回路が不要
    • EMI フィルタ部品のサイズ及びその点数を軽減
  • 極めて高速なスイッチング特性を実現

用途

  • 力率改善 (PFC) ブースト ダイオード
  • モーター ドライブ回路
  • DC-AC インバーター

関連情報

PowerEsim 上で Qspeed ダイオードのシミュレーション

Power Integrations では、 PowerEsim と提携し、高速、高精度で Qspeed 製品の優れた性能のシミュレーションを実現しています。以下の PowerEsim ロゴをクリックして、リンク先をご覧ください。

PowerEsim_90_90.gif


技術情報記事

Have Silicon Carbide Schottky Diodes made Silicon Rectifiers Obsolete?

部品選択テーブル

データシート
 VRRM
最大値		 IF<AVG>
TJ
=150°1		 VF<TYP>
TJ
=150°		 QRR
TJ
=25°		 QRR
TJ
=125°
LXA03T6002 600 V 3 A 2.1 V 21 nC 43 nC
LXA03B6003 600 V 5 A 2.1 V 21 nC 43 nC
LXA04T6002 600 V 4 A 2.1 V 21 nC 50 nC
LXA04B6003 600 V 4 A 2.1 V 21 nC 50 nC
LXA06T6002 600 V 6 A 2.0 V 30 nC 71 nC
LXA06B6003 600 V 6 A 2.0 V 30 nC 71 nC
LXA08T6002 600 V 8 A 2.1 V 31 nC 82 nC
LXA08B6003 600 V 8 A 2.1 V 31 nC 82 nC
LXA08FP6004 600 V 8 A 2.1 V 31 nC 82 nC
LXA08T600C5 600 V 4 A 2.1 V 21 nC 50 nC
LXA10T6002 600 V 10 A 2.1 V 36 nC 94 nC
LXA10FP6004 600 V 10 A 2.1 V 36 nC 94 nC
LXA12T600C5 600 V 6 A 2.1 V 30 nC 71 nC
LXA16T600C5 600 V 8 A 2.1 V 31 nC 82 nC
LXA15T6002 600 V 15 A 2.2 V 43 nC 120 nC
LXA20T6002 600 V 20 A 2.3 V 51 nC 140 nC
注:
1. 温度の単位は摂氏(℃)。
2. TO-220AC パッケージ タイプを使用。
3. D2PAK パッケージ タイプを使用。
4. TO-220FP パッケージ タイプを使用。
5. TO-220AB パッケージ タイプを使用。

サンプルのご購入は、サンプル ストアをご覧ください。量産時の価格に関しては、最寄りの営業所または販売代理店にお問い合わせください。

アプリケーション/デザイン ノート

Appnote
内容
AN 300高温逆バイアス (HTRB) 信頼性試験
AN 301逆回復電荷、電流及び時間
AN 302ダイオード直列接続時の逆電圧
AN 303RoHS に準拠したはんだ付けの注意事項