Qspeed Q-Series Diodes

概要

Qspeed™ ダイオードは、シリコン ダイオードの中で最も低い QRR 値を持っています。このリカバリー特性により、効率を向上させるとともに、EMI を軽減し、スナバを不要にしています。

製品ハイライト

主な内容

  • 低 QRR、低 IRRM、低 tRR
  • 高 dIF/dt 対応 (1000A/µs)
  • スムーズな リカバリー特性

利点

  • 効率の向上
    • スナバ回路が不要
    • EMI フィルタ部品のサイズ及びその点数を軽減
  • 極めて高速なスイッチング特性を実現

用途

  • 力率改善 (PFC) ブースト ダイオード
  • モーター ドライブ回路
  • DC-AC インバーター

関連情報

PowerEsim 上で Qspeed ダイオードのシミュレーション

Power Integrations では、 PowerEsim と提携し、高速、高精度で Qspeed 製品の優れた性能のシミュレーションを実現しています。以下の PowerEsim ロゴをクリックして、リンク先をご覧ください。

PowerEsim_90_90.gif


技術情報記事

Have Silicon Carbide Schottky Diodes made Silicon Rectifiers Obsolete?

部品選択テーブル

600 V

データシート
VRRM
最大値
IF<AVG>
TJ
=150°1
VF<TYP>
TJ
=150°
QRR
TJ
=25°
QRR
TJ
=125°
LQA03TC6002 600 V 3 A 2.3 V 4.8 nC 17.5 nC
LQA05TC6002 600 V 5 A 2.28 V 6.0 nC 27 nC
LQA08TC6002 600 V 8 A 2.3 V 7.0 nC 36 nC

300 V

データシート
VRRM
最大値
IF<AVG>
TJ
=150°1
VF<TYP>
TJ
=150°
QRR
TJ
=25°
QRR
TJ
=125°
LQA06T3002 300 V 6 A 1.34 V 9 nC 27 nC
LQA10T3002 300 V 10 A 1.36 V 10 nC 38 nC
LQA12T300C5 300 V 6 A 1.3 V 8.5 nC 27 nC
LQA12B300C3 300 V 6 A 1.3 V 8.5 nC 27 nC
LQA16T3002 300 V 16 A 1.4 V 12 nC 44 nC
LQA20B300C3 300 V 10 A 1.36 V 10 nC 38 nC
LQA20T300C5 300 V 10 A 1.36 V 10 nC 38 nC
LQA30T3002 300 V 30 A 1.45 V 13 nC 53 nC
LQA30A300C4 300 V 15 A 1.4 V 12.5 nC 47 nC
LQA32T300C5 300 V 16 A 1.3 V 11.5 nC 44 nC
LQA60A300C4 300 V 30 A 1.45 V 13 nC 53 nC
注:
1. 温度の単位は摂氏(℃)。
2. TO-220AC パッケージ タイプを使用。
3. D2PAK パッケージ タイプを使用。
4. TO-247AD パッケージ タイプを使用。
5. TO-220AB パッケージ タイプを使用。

サンプルのご購入は、サンプル ストアをご覧ください。量産時の価格に関しては、最寄りの営業所または販売代理店にお問い合わせください。

アプリケーション/デザイン ノート

Appnote
内容
AN 300高温逆バイアス (HTRB) 信頼性試験
AN 301逆回復電荷、電流及び時間
AN 302ダイオード直列接続時の逆電圧
AN 303RoHS に準拠したはんだ付けの注意事項