SemiSouth の SiC JFET 及び ダイオード

Power Integrations は SemiSouth Laboratories の特殊シリコン カーバイド トランジスタ及びダイオードの販売を開始します。SemiSouth 製品はスイッチング回路を簡素化し大幅に効率を向上させます。
SiC ダイオード
| 部品番号 | 概要 | 電圧 | 電流 IF | パッケージ |
|---|---|---|---|---|
| SDA05S120 | ショットキー ダイオード | 1,200 V | 5A | TO-220 |
| SDB05S120 | ショットキー ダイオード | 1,200 V | 5A | TO-252 DPAK |
| SDA10S120 | ショットキー ダイオード | 1,200 V | 10A | TO-220 |
| SDP10S120D | ショットキー ダイオード | 1,200 V | 10A (2 x 5A) | TO-247 |
| SDP20S120D | ショットキー ダイオード | 1,200 V | 20A (2 x 10A) | TO-247 |
| SDP30S120 | ショットキー ダイオード | 1,200 V | 30A | TO-247 |
| SDP60S120D | ショットキー ダイオード | 1,200 V | 60A (2 x 30A) | TO-247 |
SiC JFET
| 部品番号 | 概要 | 電圧 | RDSON | パッケージ |
|---|---|---|---|---|
| SJDA065R055 | SiC JFET ノーマリー オン | 650 V | 55 mΩ | TO-220 |
| SJDP120R085 | SiC JFET ノーマリー オン | 1,200 V | 85 mΩ | TO-247 |
| SJEP120R100 |
SiC JFET ノーマリー オフ | 1,200 V | 100 mΩ | TO-247 |
| SJEP120R063 | SiC JFET ノーマリー オフ | 1,200 V | 63 mΩ | TO-247 |
| SJEP170R550 | SiC JFET ノーマリー オフ | 1,700 V | 550 mΩ | TO-247 |
評価キット
評価キットには、SemiSouth の部品、全機能を搭載した基板、技術レポートが含まれています。
| 部品番号 | 概要 |
|---|---|
| SGDR600P1 | 6A ノーマリー オフ JFET 用ドライバ ボード |
| SGDR2500P2 | ノーマリー オフ JFET 用ドライバ ボード |
アプリケーション ノート
| AN-SS3:高速ハード スイッチングに最適化した 6A JFET ゲート ドライブ | |
| AN-SS5:SGDR2500P2 デュアル ステージ ドライバ ボードの動作及び使用方法 |
論文及び記事
- 高電圧補助用フライバック SMPS、 1700 V エンハンスメント モード SiC VJFET
- 移動度の電界依存性の説明となる SiC JFET の物理学ベース モデル、サウスカロライナ大学、2009 年
- PV Inverter Efficiency Exceeds 99 Percent (Fraunhofer).pdf
- SiC エンハンスメント モード 接合型電界効果トランジスタ及び推奨される使用法
- Inherently Safe Buck Converter Design.pdf
- 論文:Optimized Gate Drive for Enhancement-mode SiC JFET.pdf
- プレゼンテーション: Applications of SiC Transistors in Photovoltaic Inverters (Fraunhofer).pdf
- プレゼンテーション: Power Factor Correction using an Enhancement-mode SiC JFET.pdf



